TSMC описала процесс производства 1-нанометровых микросхем

Технологический университет Массачусетса (MIT) заявил о том, что нашел способ существенно увеличить ток и уменьшить сопротивление в микросхемах. Американские инженеры провели ряд испытаний, доказавших, что применение полуметалла висмута (Bi) может помочь сделать сразу несколько шагов к производству 1-нм микросхем.


офис тайваньской компании TSMC

 

Их исследования продолжили инженеры из TSMC и ученые из NUT (Национальный Университет Тайваня). В TSMC смогли сделать процесс осаждения более простым. А в Университете Тайваня смогли сократить компонентный канал с помощью предложенной системы.

На данный момент самыми высокотехнологичными процессорами, используемыми в мобильных устройствах, являются 5-нанометровые микросхемы. TSMC предполагает, что сможет перейти к 3-нанометровым процессорам уже в следующем, 2022 году.

При этом даже переход на 3-нм процессоры существенно повысит скорость, производительность, а самое главное энергоэффективность мобильных устройств. Что касается 1-нм чипов, то, предположительно, они смогут работать на пределе физических возможностей кремниевых полупроводников наноразмера.


нано микросхемы

 

Впрочем, на данный момент пока не ясно насколько широкое распространение получат 3-нм процессоры. Скептики уверяют, что технология производства нано процессоров может оказаться слишком дорогой. Инженеры TSMC выказывают сдержанный оптимизм, отмечая, что впереди еще много работы. Промышленное производство может начаться в течение нескольких лет.




Для заказа QSFP+, SFP модулей, а также трансиверов прочих форм-факторов, Вы можете оставить запрос через формы обратной связи на нашем сайте, либо связаться с отделом продаж по телефону +7 (495) 215-23-37.

Тайные распродажи и скидки здесь:
рассказываем об акциях и распродажах оборудования со склада.
Без спама. Не более 2 писем в месяц
Нажимая на кнопку «Подписаться», вы соглашаетесь
на обработку персональных данных